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Transistor IPW60R190E6FKSA1 — Metal-óxido-semiconductor DE Efecto DE Campo ( ) N-ch 650V 20.2A TO247-3 Coolmos E6

Transistor IPW60R190E6FKSA1 — Metal-óxido-semiconductor DE Efecto DE Campo ( ) N-ch 650V 20.2A TO247-3 Coolmos E6

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Marca: Infineon Technologies SKU: IPW60R190E6FKSA1Categorías: Transistores - MOSFET

Descripción
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Descripción

Infineon Technologies IPW60R190E6FKSA1: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6.

Especificaciones técnicas

Corriente: 20.2A
Voltaje: 650 V

Especificaciones técnicas

Corriente: 20.2 A

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