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Transistor SIHG21N65EF-GE3 - Canal N Orificio Pasante 650V 21H (tc) 208W (tc) TO-247AC

Transistor SIHG21N65EF-GE3 - Canal N Orificio Pasante 650V 21H (tc) 208W (tc) TO-247AC

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Marca: Vishay Siliconix SKU: SIHG21N65EF-GE3Categorías: Transistores - MOSFET

Descripción
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Descripción

Vishay Siliconix SIHG21N65EF-GE3: Canal N Orificio pasante 650 V 21H (Tc) 208 W (Tc) TO-247AC.

Especificaciones técnicas

Tipo de montaje: Orificio pasante
Potencia: 208 W
Voltaje: 650 V

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