Transistor de silicio NPN de potencia de RF para uso móvil NTE483

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NTE483
Transistor de silicio NPN
Salida de potencia de RF para uso móvil,
PO = 18W @ 866MHz
Descripción:
El NTE483 es un transistor de cepillado NPN de silicio epitaxial de 12.5 voltios diseñoado principalmente para 800MHz
comunicaciones móviles. Este dispositivo utiliza tecnología de entrada combinada (Q sintonizado) para aumentar el ancho de banda y la ganancia de potencia en el rango completo de 806€“866MHz.
caracteristicas:
* Diseñoado para equipos móviles 806€“866MHz
* 18W Min., Con ganancia de más de 6dB a 836MHz
* Resiste 10: 1 VSWR en condiciones de operación nominales
* Tecnología de entrada combinada
* Base común
Clasificaciones máximas absolutas: (TC = + 25 ° C a menos que se especifique lo contrario)
Voltaje base del colector, VCBO: 36V
Voltaje del colector-emisor, VCEO: 16V
Emisor €“ Voltaje base, VEBO: 4V
Corriente máxima de colector, IC: 7A
Disipación total del dispositivo (a + 25 ° C), Ptot: 46W
Temperatura de unión de operación, TJ: + 200 ° C
Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg: €“65 ° a + 150 ° C
Resistencia térmica, unión a caja, RthJC: 3.8 ° C / W