Transistor de Potencia RF NTE16002

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NTE16002
Transistor de silicio NPN
Potencia de salida de RF, PO = 13.5W, 175MHz
͍ndices absolutos máximos:
Voltaje del colector-emisor, VCEO 40V

Voltaje base-colector, VCB 65V

Emisor-Voltaje base, VEB 4V

Corriente de colector, IC 3A

Disipación total del dispositivo (TC = + 25 ° C), PD 23W

Reducción por encima de 25 ° C 131mW / ° C

Rango de temperatura de unión operativa, TJ €“65 ° a + 200 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg €“65 ° a + 200 ° C