Transistor MMBT3904LT1G — Bipolar (bjt) Individual, Propósito General, Npn, 40V, 200MA, 300MW, SOT-23
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Descripción
ONSEMI MMBT3904LT1G: Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23.
Especificaciones técnicas
- Corriente: 200 mA
- Potencia: 300 mW
- Voltaje: 40 V
