Transistor IPP320N20N3GXKSA1 — Metal-óxido-semiconductor DE Efecto DE Campo ( ) N-ch 200V 34A TO220-3 Optimos 3
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Descripción
Infineon Technologies IPP320N20N3GXKSA1: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200 V 34A TO220-3 OptiMOS 3.
Especificaciones técnicas
- Corriente: 34A
- Voltaje: 200 V
Especificaciones técnicas
- Corriente: 34 A
