Semiconductor HGTG30N60B3 - Igbt, 60A, 1.45V, 208W, 600V, TO-247, 3 Pines
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Descripción
ONSEMI HGTG30N60B3: IGBT, 60 a, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pines.
Especificaciones técnicas
- Corriente: 60 a
- Potencia: 208 W
- Voltaje: 1.45 V, 600 V
Especificaciones técnicas
- Voltaje: 1.45 V / 600 V
