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 FS100R12KE3 Modulo IGBT 1200V 100A 3-PHASE

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FS100R12KE3

Modulo IGBT 1200V 100A 3-PHASE

Disponibilidad: Compra Inmediata

Cantidad disponible 1

Precio: MXN 5,300

Especificaciones técnicas

  • FS100R12KE3 hoja de datos
  • Descripción del Producto

    MODULOS IGBT 1200V 100A 3-PHASE
    • Fabricante : Infineon
    • Categoría de producto : Módulos IGBT
    • Producto : IGBT Silicon Modules
    • Configuración : Hex
    • Máx. voltaje VCEO colector-emisor : 1200 V
    • Voltaje de saturación colector-emisor : 2.15 V
    • Colector de Corriente Continua a 25 C : 140 A
    • Corriente de fuga puerta-emisor : 400 nA
    • Dp - Disipación de potencia  : 480 W
    • Paquete / Cubierta : EconoPACK 3B
    • Temperatura de trabajo mínima : - 40 C
    • Temperatura de trabajo máxima : + 125 C
    • Empaquetado : Tray
    • Altura : 17 mm
    • Longitud : 122 mm
    • Ancho : 62 mm
    • Estilo de montaje : Tornillo
    • Máximo voltaje puerta-emisor : +/- 20 V
    • Peso de la unidad : 300 g

    Etiquetas de Producto

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