En 1938, la experimentación en los Laboratorios Bell (Nueva Jersey, Estados Unidos) con rectificadores a base de óxido de cobre llevó a William Bradford Shockley, jefe del llamado Grupo de Física del Estado Sólido, a pensar que era posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de vacío. Su intuición se vio finalmente confirmada cuando, el 17 de noviembre de 1947, los físicos John Bardeen y Walter House Brattain, miembros del equipo de los Laboratorios Bell, empezaron una serie de experimentos en los que observaron que, al aplicar dos contactos puntuales de oro a un cristal de germanio, se producía una señal con una potencia de salida mayor que la de entrada. Shockley, en colaboración con ambos, perfeccionó el sistema y –a sugerencia del ingeniero John R. Pierce– lo bautizaron como "transistor". En reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956 y abrieron la puerta a toda una revolución tecnológica que nos ha llevado, por ejemplo, a los procesadores Ivy Bridge de Intel que, en 160 milímetros cuadrados, son capaces de alojar alrededor de 1.400 millones de transistores.

El transistor de la siguiente foto  es el primero que se fabricó en 1947 en los Bell Laboratories en Murray Hill, Nueva Jersey, Estados Unidos. Este transistor es del tipo de contacto, en el que dos púas de metal se presionan sobre la superficie de material semiconductor en posiciones muy próximas entre sí. Los contactos eran de oro y el semiconductor utilizado era germanio.

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El transistor de contacto de germanio tipo "A" original de Bell Telephone Laboratories (inventores del transistor). Tiene agujeros a ambos lados de la cápsula que permitían ajustar los alambres de contacto. Es el primer diseño de cápsula que se utilizó para los transistores, a mediados de los años 50.

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Módulo amplificador tipo 149A fabricado por Western Electric para Bell Telephone (abierto para mostrar el transistor). Se utilizaba para amplificar señales de un foto sensor. Estaba montado en un cilindro de aluminio de 7,5 cm de alto y 3 cm de diámetro. La base es un zócalo estándar de válvula de 8 patas. Se utilizó hasta 1958, aproximadamente

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Transistor de TI modelo 800 de 1958, aproximadamente. Es un fototransistor NPN que costaba u$s 8,15. Se usaba en los lectores de tarjetas perforadas. Nótese la pequeña lente de aumento embebida en la parte superior.

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