Rectificador controlado de silicio 25V 8A NTE5480

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NTE5480 a NTE5487
Rectificador controlado de silicio (SCR)
8 A, TO64

Descripción:
Los NTE5480 a NTE5487 son rectificadores controlados de silicio PNPN multipropósito en un tipo TO64
Paquete adecuado para aplicaciones industriales y de consumo. Estos dispositivos de 8 A están disponibles en voltajes que van desde 25V a 600V.
caracteristicas:
 Disparo uniforme de nivel bajo de ruido de puerta inmune: IGT = 10mA Typ @ TC = + 25 ° C
 Baja tensión de "ENCENDIDO" hacia adelante: vT = 1V Typ @ 5A @ + 25 ° C
 Alta capacidad de sobretensión: ITSM = 100A Peak
 Construcción del emisor en corto

Clasificaciones máximas absolutas: (TJ = ˆ’40 ° a + 100 ° C a menos que se especifique lo contrario)
Voltaje máximo repetitivo de bloqueo hacia adelante y hacia atrás (Nota 1), VDRM o VRRM
NTE5480 25V
NTE5481 50V
NTE5482 100V
NTE5483 200V
NTE5484 300V
NTE5485 400V
NTE5486 500V
NTE5487 (Este dispositivo está descontinuado) 600V

Corriente directa hacia adelante RMS, IT (RMS) 8A

Corriente de pico de sobretensión directa (un ciclo, 60Hz, TJ = ˆ’40 ° a + 100 ° C, ITSM 100A

Fusión de circuito (t ‰¤ 8.3ms, TJ = ˆ’40 ° a + 100 ° C), I2t 40A2 s

Potencia de puerta pico, PGM 5W

Promedio de potencia de la puerta, PG (AV) 0.5W

Corriente máxima de la puerta, IGM 2A

Voltaje pico de la puerta (Nota 2), VGM 10V

Rango de temperatura de funcionamiento, TJ ˆ’40 ° a + 100 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg ˆ’40 ° a + 150 ° C

Resistencia térmica típica, unión a caja, RthJC 1.5 ° C / W

Resistencia térmica típica, caso a ambiente, RthJA 50 ° C / W

Nota 1. Las clasificaciones se aplican para voltaje de puerta cero o negativo. Los dispositivos no deben ser probados para bloqueo
capacidad de tal manera que el voltaje aplicado excede el voltaje de bloqueo nominal.

Nota 2. Los dispositivos no deben funcionar con una polarización positiva aplicada a la puerta simultáneamente con un
potencial negativo aplicado al ánodo.