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Módulo IGBT 1200V 200A dual BSM200GB120DN2
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Módulo IGBT 1200V 200A dual BSM200GB120DN2

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Descripción



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BSM200GB120DN2

Módulo IGBT 1200V 200A DUAL

  • Fabricante: Infineon
  • Categoría de producto: Módulos IGBT
  • RoHS: Detalles
  • Producto: IGBT Silicon Modules
  • Configuración: Half Bridge
  • Máx. colector-emisor de voltaje VCEO: 1200 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V
  • Colector de Corriente Continua a 25 C: 290 A
  • Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
  • Dp - Disipación de potencia: 1.4 kW
  • Paquete / Cubierta: Half Bridge2
  • Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
  • Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
  • Empaquetado: Bandeja
  • Altura: 30 mm
  • Longitud: 106.4 mm
  • Ancho: 61.4 mm
  • Marca: Infineon Technologies
  • Estilo de montaje: montaje a tornillo
  • Máximo voltaje puerta-emisor: 20 V
  • Tipo de producto: Módulos IGBT

 

(LIGERO RAYADO POR MOVIMIENTO DE ALMACENAJE)

Si existe, lo conseguimos
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