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Módulo de Transistor de potencia IGBT 2DI 150-050C
Módulo de transistor de potencia IGBT 2DI 150-050C
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Módulo de transistor de potencia IGBT 2DI 150-050C

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Descripción



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Módulo de transistor de potencia IGBT 2DI150D-050

  • IGBT diode SCR tiristor transistor rectifier power module
  • Características electrónicas / eléctricas:
  • Elevada corriente CC Ganancia Alta velocidad Conmutación Baja potencia de la unidad
  • Low VCE (sat) Discrete Super-Fast Recovery Diodo de rueda libre
  • Placa de base aislada de alta corriente para fácil
  • Hundimiento de calor
Si existe, lo conseguimos
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